鋰電池保護(hù)板普遍不良的原因分析

　　一、無(wú)浮現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)荷

　　該類欠佳主要清除鋰電芯欠佳（鋰電芯本來(lái)無(wú)工作電壓或工作電壓低），假定鋰電芯欠佳則應(yīng)檢測(cè)鋰電池保護(hù)板的自耗電量，看是不是鋰電池保護(hù)板自耗電量過(guò)大造成 鋰電芯工作電壓低。假定鋰電芯工作電壓一切正常，則是由于鋰電池保護(hù)板全部控制回路堵塞（電子器件空焊、假焊、FUSE欠佳、PCB板內(nèi)部電源電路堵塞、過(guò)孔堵塞、MOS、IC毀壞等）。

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　　深入分析全過(guò)程以下：

　?。ㄒ唬?、用數(shù)字萬(wàn)用表黑直流電流表接鋰電芯負(fù)級(jí)，紅直流電流表先后接FUSE、R1電阻器兩邊，IC的Vdd、Dout、Cout端，P+端（假設(shè)鋰電芯工作電壓為3.8V），逐段開展剖析，此好多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)都應(yīng)是3.8V。要不是，則該段電源電路有什么問(wèn)題。

　　1、FUSE兩直流電壓有修改：檢測(cè)FUSE是不是通斷，若導(dǎo)公例是PCB板內(nèi)部電源電路堵塞；若不導(dǎo)公例FUSE有什么問(wèn)題（來(lái)料檢驗(yàn)報(bào)告欠佳、過(guò)電流毀壞（MOS或IC操縱無(wú)效）、材料有什么問(wèn)題（在MOS或IC姿勢(shì)以前FUSE被燒毀），隨后用輸電線接線FUSE，不斷往后面剖析。

　　2、R1電阻器兩直流電壓有修改：檢測(cè)R1阻值，若阻值紊亂，則也許是空焊，電阻器本身裂開。若阻值無(wú)紊亂，則也許是IC內(nèi)部電阻器出現(xiàn)難題。

　　3、IC檢測(cè)直流電壓有修改：Vdd端與R1電阻器相接。Dout、Cout端紊亂，則是由于IC空焊或毀壞。

　　4、若前邊工作電壓都無(wú)修改，檢測(cè)B-到P+間的工作電壓紊亂，則是由于鋰電池保護(hù)板正級(jí)過(guò)孔堵塞。

　?。ǘ?、數(shù)字萬(wàn)用表紅直流電流表接鋰電芯正級(jí)，激話MOS管拔，黑直流電流表先后接MOS管2、3腳，6、7腳，P-端。

　　1.MOS管2、3腳，6、7腳工作電壓有修改，則標(biāo)出MOS管紊亂。

　　2.若MOS管工作電壓無(wú)修改，P-直流電壓紊亂，則是由于鋰電池保護(hù)板負(fù)級(jí)過(guò)孔堵塞。

　　二、短路故障無(wú)維護(hù)

　　1、VM端電阻器出現(xiàn)難題：能用數(shù)字萬(wàn)用表一直流電流表接IC2腳，一直流電流表接與VM端電阻器相接的MOS小編腳，承認(rèn)其阻值尺寸。看電阻器與IC、MOS引腳是否空焊。

　　2、IC、MOS紊亂：由于虧電維護(hù)與過(guò)流、過(guò)流保護(hù)同用一個(gè)MOS管，若短路故障紊亂是由于MOS出現(xiàn)難題，則此板應(yīng)沒有放維護(hù)功能。

　　3、之上為一切正常狀況下的欠佳，也也許出現(xiàn)IC與MOS武器裝備欠佳造成的短路故障紊亂。如早期出現(xiàn)的BK-901，其型號(hào)規(guī)格為‘313D’的IC內(nèi)時(shí)間延遲太長(zhǎng)，造成 在IC做出相對(duì)姿勢(shì)操縱以前MOS或其他電子器件已被毀壞。注：期間承認(rèn)IC或MOS是不是發(fā)病紊亂最簡(jiǎn)單、立即的方式就是對(duì)有猜疑的電子器件開展更換。

　　三、過(guò)流保護(hù)無(wú)自修復(fù)

　　1、整體規(guī)劃時(shí)常用IC本來(lái)沒有自修復(fù)功能，如G2J，G2Z等。

　　2、儀器設(shè)備設(shè)定短路故障修復(fù)時(shí)間過(guò)短，或短路故障檢測(cè)時(shí)未將負(fù)荷移走，如用數(shù)字萬(wàn)用表工作電壓檔開展短路故障直流電流表接線后未將直流電流表從檢測(cè)端移走（數(shù)字萬(wàn)用表等同于一個(gè)幾兆的負(fù)荷）。

　　3、P+、P-間走電，如焊層中間存有帶殘?jiān)乃芍?，帶殘?jiān)狞S膠或P+、P-間電容器被穿透，ICVdd到Vss間被穿透。（電阻值僅有幾K到好幾百K）。

　　4、假定之上都沒什么問(wèn)題，也許IC被穿透，可檢測(cè)IC各引腳中間電阻值。

　　四、內(nèi)電阻大

　　1、由于MOS內(nèi)電阻相對(duì)性相對(duì)穩(wěn)定，出現(xiàn)內(nèi)電阻大狀況，主要猜疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這種內(nèi)電阻相對(duì)性非常簡(jiǎn)單發(fā)病修改的電子器件。

　　2、假定FUSE或PTC電阻值一切正常，則視維護(hù)板結(jié)構(gòu)檢驗(yàn)P+、P-焊層與電子器件面中間的焊盤電阻值，也許過(guò)孔出現(xiàn)微斷狀況，電阻值很大。

　　3、假定之上多沒有問(wèn)題，就需要猜疑MOS是不是出現(xiàn)紊亂：主要承認(rèn)電焊焊接有木有難題；次之管理看板的薄厚（是不是簡(jiǎn)易彎曲），由于彎曲時(shí)也許造成 引腳電焊焊接處紊亂；再將MOS管放進(jìn)顯微鏡下觀察是不是裂開；終歸用數(shù)字萬(wàn)用表檢測(cè)MOS引腳電阻值，看是不是被穿透。

　　五、ID紊亂

　　1、ID電阻器本身由于空焊、裂開或因電阻器材料不合格而出現(xiàn)紊亂：可從頭開始電焊焊接電阻器兩邊，若重焊后ID一切正常則是電阻器空焊，若裂開則電阻器會(huì)在重焊后從這當(dāng)中開裂。

　　2、ID焊盤不通斷：能用數(shù)字萬(wàn)用表檢測(cè)過(guò)孔兩邊。

　　3、內(nèi)部路線出現(xiàn)難題：可涂刮阻焊漆看內(nèi)部電源電路是否斷掉、短路故障狀況。